SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS M.2 PCIE NVME 2 TO

SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS M.2 PCIE NVME 2 TO SSD 2 To M.2 2280 NVMe 2.0 - PCIe 5.0 x2/PCIe 4.0 x4 SSD 990 EVO Plus : Performances améliorées au quotidien Le disque SSD 990 EVO Plus 2 To de Samsung apporte un boost de performances à votre machine pour des temps de chargement réduits, des transferts rapides de fichiers volumineux. Ces performances sont rendues possibles grâce à des vitesses de lecture jusqu'à 7250 Mo/s et la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Le SSD M.2 2280 Samsung 990 EVO Plus est propulsée par l'interface PCI-E 4.0 x4 ou PCI-E 5.0 x2 pour s'adapter au mieux aux cartes mères récentes. POINTS FORTS • Passez à une vitesse de lecture séquentielle plus rapide allant jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % plus rapide que le modèle précédent. (Vitesse en fonction des modèles) • Efficacité énergétique : Profitez d'une efficacité énergétique améliorée de 73 % par watt par rapport au modèle précédent, tout en maintenant performances et contrôle thermique. • Améliorez les performances dans vos jeux, votre travail créatif… grâce à la compatibilité avec les interfaces PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2. • Technologie Intelligent TurboWrite 2.0 améliorée pour traiter les données volumineuses plus rapidement avec une région TurboWrite élargie. SAMSUNG MAGICIAN Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances possibles pour votre SSD. C'est aussi un moyen sûr et simple de déplacer toutes vos données pour effectuer un upgrade du SSD Samsung. Magician permet par ailleurs de surveiller l'état du disque et d'obtenir les dernières mises à jour du micrologiciel afin de protéger vos précieuses données. INFORMATIONS GENERALES Désignation Samsung SSD 990 EVO Plus M.2 PCIe NVMe 2 To Marque SamsungSamsung Modèle MZ-V9S2T0BW PRINCIPALES CARACTERISTIQUES Interface avec l'ordinateur M.2 - PCI-E 4.0 4x M.2 - PCI-E 5.0 2x Format de Disque M.2 Format M.2 M.2 2280 Dissipateur thermique Non Type de refroidissement Aucun Capacité 2 To Type de mémoire Flash TLC (Triple-Level Cell) NVMe Oui Compatible PS5 Non PERFORMANCES Vitesse en lecture 7250 Mo/s Vitesse en écriture 6300 Mo/s IOPS en lecture 1000000 IOPS en écriture 1350000 Endurance 1200 ToE Compatible TRIM Oui CARACTERISTIQUES PHYSIQUES Largeur 22.15 mm Hauteur 2.38 mm Profondeur 80.15 mm Poids 9 g