Spécifications techniques Capacité : 512 Go Format : M.2 2280 (22 mm x 80 mm) Interface : PCIe Gen3 x4 NVMe Type de mémoire flash : TLC 3D-NAND Vitesse de lecture séquentielle : jusqu’à 3 100 Mo/s Vitesse d’écriture séquentielle : jusqu’à 1 500 Mo/s Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C Endurance : Conçue pour les cycles de charge élevés Consommation électrique : Faible en veille et en utilisation active Compatible avec les boîtiers NVMe : Oui