Capacité : 256 Go Facteur de forme : M.2 2280 Interface : PCIe Gen3x4 Lecture séquentielle : jusqu'à 3 300 Mo/s en lecture Écriture séquentielle : jusqu'à 1 300 Mo/s Flash NAND : 3D TLC Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (32 °F à 158 °F) Température de stockage : -40 °C à 85 °C (-40 °F à 185 °F) Résistant aux chocs : 1 500 G, durée 0,5 ms, demi-onde sinusoïdale Résistant aux vibrations : ~ 2 000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 Oct/min, 30 min/axe (X, Y, Z) TBW : 256 Go : 125 To DWPD : 0,44 MTBF : 1 500 000 heures